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SPB100N03S2-03 G
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SPB100N03S2-03 G 技術仕様
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 80A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7020pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
SPB100N03S2-03 G 書類
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データシート
SPB100N03S2-03 G.pdf
その他には以下が含まれます: "SPB10" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SPB10'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SPB100100 | MICROSEMI | IGBTモジュール | 2833 |
SPB10015 | MICROSEMI | IGBTモジュール | 2897 |
SPB10035 | MICROSEMI | IGBTモジュール | 2984 |
SPB10040 | MICROSEMI | IGBTモジュール | 2755 |
SPB10045 | MICROSEMI | IGBTモジュール | 2930 |
SPB10045E3 | Microsemi | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2736 |
SPB10045E3 | Microsemi Corporation | 整流ダイオードアレイ | |
SPB10060 | MICROSEMI | IGBTモジュール | 2554 |
SPB10080 | MICROSEMI | IGBTモジュール | 2998 |
SPB10090 | MICROSEMI | IGBTモジュール | 2900 |
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SPB100N03S2-03 G ブランドメーカー: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip ストック, SPB100N03S2-03 G 参考価格. SPB100N03S2-03 G パラメーター, SPB100N03S2-03 G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SPB100N03S2-03 G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SPB100N03S2-03 G ピン図と回路図と機能の使用方法、 SPB100N03S2-03 G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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輸送方法 | ||
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