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SPB10N10L G 技術仕様

MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 21µA
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 154 mOhm @ 8.1A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 444pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SIPMOS®
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.3A (Tc)
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SPB100100 MICROSEMI IGBTモジュール 2833
SPB10015 MICROSEMI IGBTモジュール 2897
SPB10035 MICROSEMI IGBTモジュール 2984
SPB10040 MICROSEMI IGBTモジュール 2755
SPB10045 MICROSEMI IGBTモジュール 2930
SPB10045E3 Microsemi ダイオード - 整流器 - アレイ 2736
SPB10045E3 Microsemi Corporation 整流ダイオードアレイ
SPB10060 MICROSEMI IGBTモジュール 2554
SPB10080 MICROSEMI IGBTモジュール 2998
SPB10090 MICROSEMI IGBTモジュール 2900

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SPB10N10L G ブランドメーカー: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip ストック, SPB10N10L G 参考価格. SPB10N10L G パラメーター, SPB10N10L G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SPB10N10L G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SPB10N10L G ピン図と回路図と機能の使用方法、 SPB10N10L G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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