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SPB35N10T
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SPB35N10T 技術仕様
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 26.4A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1570pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | SIPMOS® |
Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
SPB35N10T 書類
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データシート
SPB35N10T.pdf
その他には以下が含まれます: "SPB35" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SPB35'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SPB35N10 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 16282 |
SPB35N10 G | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 37363 |
SPB35N10 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 6245 |
SPB35N10G | INF | 特殊なホットIC | 12291 |
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SPB35N10T ブランドメーカー: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip ストック, SPB35N10T 参考価格. SPB35N10T パラメーター, SPB35N10T データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SPB35N10T プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SPB35N10T ピン図と回路図と機能の使用方法、 SPB35N10T エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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