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SPB80N06S2-07
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SPB80N06S2-07 技術仕様
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 180µA |
Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.6 mOhm @ 68A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4540pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
SPB80N06S2-07 書類
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データシート
SPB80N06S2-07.pdf
その他には以下が含まれます: "SPB80" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SPB80'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SPB800-BCP1 | H&D Wireless | RFトランシーバーモジュール | 2668 |
SPB800-BCP1 | H&D Wireless AB | RFトランシーバーモジュール | |
SPB80N03 | VB | 特殊なホットIC | 5000 |
SPB80N03L | INFINEO | 特殊なホットIC | 12100 |
SPB80N03L E3045A | infineo | 特殊なホットIC | 4354 |
SPB80N03S2-03 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2803 |
SPB80N03S2-03 G | INF | 特殊なホットIC | 2693 |
SPB80N03S2-03 MCU | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 654 |
SPB80N03S2-03 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 1360 |
SPB80N03S2-03G | INF | 特殊なホットIC | 691 |
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