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SPI08N50C3XKSA1
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SPI08N50C3XKSA1 技術仕様
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-262
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 350µA |
Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 4.6A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 560V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | CoolMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.6A (Tc) |
SPI08N50C3XKSA1 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SPI08N50C3XKSA1
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データシート
SPI08N50C3XKSA1.pdf
その他には以下が含まれます: "SPI08" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SPI08'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SPI08N50C3 | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 3637 |
SPI08N50C3HKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2556 |
SPI08N80C3 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2835 |
SPI08N80C3XKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2625 |
SPI08N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ |
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