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BSM120D12P2C005 技術仕様

MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.7V @ 22mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package Module
Power - Max 780W
Package / Case Module
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
BSM1200GA120DN2 EUPEC IGBTモジュール 2565
BSM120D12P2C005 ROHM Semiconductor MOSFETトランジスタアレイ
BSM121AR IGBT Module IGBTモジュール 2785
BSM121R SIEMENS 特殊なホットIC 2931

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BSM120D12P2C005 ブランドメーカー: LAPIS Semiconductor, Bonchip ストック, BSM120D12P2C005 参考価格. BSM120D12P2C005 パラメーター, BSM120D12P2C005 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 BSM120D12P2C005 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 BSM120D12P2C005 ピン図と回路図と機能の使用方法、 BSM120D12P2C005 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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