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DTA023YEBTL
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DTA023YEBTL 技術仕様
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10k |
Power - Max | 150mW |
Package / Case | SC-89, SOT-490 |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | - |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 5mA |
Supplier Device Package | EMT3F (SOT-416FL) |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2k |
Packaging | Original-Reel® |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
DTA023YEBTL 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください DTA023YEBTL
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データシート
DTA023YEBTL.pdf
その他には以下が含まれます: "DTA02" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'DTA02'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
DTA023EEB | ROHM | 特殊なホットIC | 3286 |
DTA023EEBTL | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2658 |
DTA023EEBTL | ROHM Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTA023EMT2L | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2745 |
DTA023EMT2L | ROHM Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTA023EUBTL | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2579 |
DTA023EUBTL | ROHM Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTA023JEBTL | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2642 |
DTA023JEBTL | ROHM Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTA023JMT2L | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2625 |
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