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DTA115EEBTL
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DTA115EEBTL 技術仕様
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 100k |
Power - Max | 150mW |
Package / Case | SC-75, SOT-416 |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Supplier Device Package | EMT3 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 100k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 5mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 20mA |
DTA115EEBTL 書類
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データシート
DTA115EEBTL.pdf
その他には以下が含まれます: "DTA11" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'DTA11'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
DTA1132KA | ROHM | 特殊なホットIC | 24000 |
DTA1135EKAT146 | ROHM | 特殊なホットIC | 3400 |
DTA113EET1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 12000 |
DTA113EET1G | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTA113EM3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2749 |
DTA113EM3T5G | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTA113TKA T146 | LAPIS Semiconductor | 特殊なホットIC | 11747 |
DTA113TKA T146 IC | LAPIS Semiconductor | 特殊なホットIC | 11783 |
DTA113TKAT146 | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2608 |
DTA113TKAT146 | ROHM Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ |
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