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DTA123JEBHZGTL 技術仕様

PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package EMT3F (SOT-416FL)
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Power - Max 150mW
Package / Case SC-89, SOT-490
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 40 Weeks
Frequency - Transition 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Series Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Packaging Original-Reel®
Other Names DTA123JEBHZGTLDKR
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
Current - Collector Cutoff (Max) -
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
DTA123ECAT116 LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2553
DTA123ECAT116 ROHM Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
DTA123EE ROHM 特殊なホットIC 3432
DTA123EE TL ROHM 特殊なホットIC 6010
DTA123EEBTL ROHM Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
DTA123EEFRATL LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2598
DTA123EEFRATL ROHM Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
DTA123EEFTL LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 1479
DTA123EET1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 598
DTA123EET1 ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ

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DTA123JEBHZGTL ブランドメーカー: LAPIS Semiconductor, Bonchip ストック, DTA123JEBHZGTL 参考価格. DTA123JEBHZGTL パラメーター, DTA123JEBHZGTL データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 DTA123JEBHZGTL プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 DTA123JEBHZGTL ピン図と回路図と機能の使用方法、 DTA123JEBHZGTL エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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