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DTA123JMT2L 技術仕様

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 150mW
Package / Case SOT-723
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package VMT3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
DTA123ECAT116 LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2553
DTA123ECAT116 ROHM Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
DTA123EE ROHM 特殊なホットIC 3432
DTA123EE TL ROHM 特殊なホットIC 6010
DTA123EEBTL ROHM Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
DTA123EEFRATL LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2598
DTA123EEFRATL ROHM Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
DTA123EEFTL LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 1479
DTA123EET1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 598
DTA123EET1 ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ

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DTA123JMT2L ブランドメーカー: LAPIS Semiconductor, Bonchip ストック, DTA123JMT2L 参考価格. DTA123JMT2L パラメーター, DTA123JMT2L データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 DTA123JMT2L プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 DTA123JMT2L ピン図と回路図と機能の使用方法、 DTA123JMT2L エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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