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DTC013ZMT2L
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DTC013ZMT2L 技術仕様
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VMT3
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10k |
Power - Max | 150mW |
Package / Case | SOT-723 |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 5mA |
Supplier Device Package | VMT3 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 1k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
DTC013ZMT2L 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください DTC013ZMT2L
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データシート
DTC013ZMT2L.pdf
その他には以下が含まれます: "DTC01" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'DTC01'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
DTC013ZEBTL | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 600 |
DTC013ZEBTL | ROHM Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTC013ZMT2L | ROHM Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTC013ZMT2L IC | LAPIS Semiconductor | 特殊なホットIC | 40239 |
DTC013ZUBTL | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2725 |
DTC013ZUBTL | ROHM Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTC014EEB | ROHM | 特殊なホットIC | 3288 |
DTC014EEB TL | ROHM | 特殊なホットIC | 1532385 |
DTC014EEBTL | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 30597 |
DTC014EEBTL | ROHM Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ |
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