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DTC113ZCAHZGT116
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DTC113ZCAHZGT116 技術仕様
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Supplier Device Package | SST3 |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
Power - Max | 350mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 7 Weeks |
Frequency - Transition | 250MHz |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 5mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased + Diode |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | DTC113ZCAHZGT116TR |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Detailed Description | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 350mW Surface Mount SST3 |
Current - Collector Cutoff (Max) | - |
DTC113ZCAHZGT116 書類
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その他には以下が含まれます: "DTC11" 部品
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
DTC113EET1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2783 |
DTC113EET1G | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTC113EM3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2685 |
DTC113EM3T5G | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTC113ZCA | Original | 特殊なホットIC | 110632 |
DTC113ZCA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2598 |
DTC113ZCA-TP | Micro Commercial Co | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTC113ZCAHZGT116 | ROHM Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTC113ZCAT116 | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 110600 |
DTC113ZCAT116 | ROHM Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ |
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