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DTC123JUAT106 技術仕様

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 200mW
Package / Case SC-70, SOT-323
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package UMT3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
DTC123-JS ROHM 特殊なホットIC 605
DTC123ECA T116 LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 600282
DTC123ECAHZGT116 LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2653
DTC123ECAHZGT116 ROHM Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
DTC123ECAT116 LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2693
DTC123ECAT116 ROHM Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
DTC123EE ROHM 特殊なホットIC 3294
DTC123EE TL ROHM 特殊なホットIC 29427
DTC123EEBTL ROHM Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
DTC123EET1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 30000

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DTC123JUAT106 ブランドメーカー: LAPIS Semiconductor, Bonchip ストック, DTC123JUAT106 参考価格. DTC123JUAT106 パラメーター, DTC123JUAT106 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 DTC123JUAT106 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 DTC123JUAT106 ピン図と回路図と機能の使用方法、 DTC123JUAT106 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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