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DTD113EKT146 技術仕様

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 1k
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Supplier Device Package SMT3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 1k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
DTD113ECHZGT116 LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2561
DTD113ECHZGT116 ROHM Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
DTD113ECT116 LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2500
DTD113ECT116 ROHM Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
DTD113EK ROHM 特殊なホットIC 1133
DTD113EK T146 ROHM 特殊なホットIC 39000
DTD113EKFRAT146 ROHM Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
DTD113EKT146 ROHM Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
DTD113ES ROHM 特殊なホットIC 7200
DTD113ZCHZGT116 LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2683

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DTD113EKT146 ブランドメーカー: LAPIS Semiconductor, Bonchip ストック, DTD113EKT146 参考価格. DTD113EKT146 パラメーター, DTD113EKT146 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 DTD113EKT146 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 DTD113EKT146 ピン図と回路図と機能の使用方法、 DTD113EKT146 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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