EMB11T2R 技術仕様

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 150mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package EMT6
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
EMB11 ROHM 特殊なホットIC 8422
EMB11 T2R ROHM IGBTモジュール 9500
EMB11A03G EMC 特殊なホットIC 2640
EMB11FHAT2R LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2592
EMB11FHAT2R ROHM Semiconductor BJTトランジスタアレイ
EMB11N03G EMC 特殊なホットIC 2956
EMB11P03V-CU EMC 特殊なホットIC 4031
EMB11T2R ROHM Semiconductor BJTトランジスタアレイ
EMB11T2R IC LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 8438

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