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EMF17T2R 技術仕様

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 2.2k
Power - Max 150mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Frequency - Transition 250MHz, 140MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package EMT6
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA, 150mA
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EMF17T2R ROHM Semiconductor BJTトランジスタアレイ

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EMF17T2R ブランドメーカー: LAPIS Semiconductor, Bonchip ストック, EMF17T2R 参考価格. EMF17T2R パラメーター, EMF17T2R データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 EMF17T2R プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 EMF17T2R ピン図と回路図と機能の使用方法、 EMF17T2R エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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