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EMH61T2R 技術仕様
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10k |
Power - Max | 150mW |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 5mA |
Supplier Device Package | EMT6 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
EMH61T2R 書類
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-
データシート
EMH61T2R.pdf
その他には以下が含まれます: "EMH61" 部品
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
EMH61T2R | ROHM Semiconductor | BJTトランジスタアレイ |
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輸送方法 | ||
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