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EMH9T2R 技術仕様

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 150mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package EMT6
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Original-Reel®
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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EMH9T2R ROHM Semiconductor BJTトランジスタアレイ

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EMH9T2R ブランドメーカー: LAPIS Semiconductor, Bonchip ストック, EMH9T2R 参考価格. EMH9T2R パラメーター, EMH9T2R データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 EMH9T2R プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 EMH9T2R ピン図と回路図と機能の使用方法、 EMH9T2R エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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