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QS8K21TR 技術仕様

MOSFET 2N-CH 45V 4A TSMT8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 53 mOhm @ 4A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 45V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package TSMT8
Power - Max 550mW
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.4nC @ 5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A
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QS8K21TR ROHM Semiconductor MOSFETトランジスタアレイ
QS8K2TR LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 362
QS8K2TR ROHM Semiconductor MOSFETトランジスタアレイ

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