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QSH29TR 技術仕様

TRANS 2NPN PREBIAS 1.25W TSMT6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 70V
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 1.25W
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 100mA
Supplier Device Package TSMT6 (SC-95)
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 500 @ 200mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
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QSH29 LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 2360
QSH29TR ROHM Semiconductor BJTトランジスタアレイ

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