R6004ENJTL 技術仕様

MOSFET N-CH 600V 4A LPT

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 980 mOhm @ 1.5A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package LPTS (D2PAK)
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
R6004CND ROHM 特殊なホットIC 7500
R6004CND TL ROHM 特殊なホットIC 2992
R6004CNDTL LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 713
R6004CNDTL MOS LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 7897
R6004END LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 150297
R6004END-DIATL LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 2657
R6004END3TL1 LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 5423
R6004END3TL1 IC LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 5466
R6004END4TL1 ROHM Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
R6004ENDTL LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2505

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