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R6011KNJTL 技術仕様

MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390 mOhm @ 3.8A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-263
Power Dissipation (Max) 124W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
R6011025XXYA Powerex, Inc. ダイオード - 整流器 - シングル 2743
R6011030XXYA Powerex, Inc. ダイオード - 整流器 - シングル 2743
R6011225XXYA Powerex, Inc. ダイオード - 整流器 - シングル 2781
R6011230XXYA Powerex, Inc. ダイオード - 整流器 - シングル 2717
R6011425XXYA Powerex, Inc. ダイオード - 整流器 - シングル 2529
R6011430XXYA Powerex, Inc. ダイオード - 整流器 - シングル 2709
R6011625XXYA Powerex, Inc. ダイオード - 整流器 - シングル 2686
R6011630XXYA Powerex, Inc. ダイオード - 整流器 - シングル 2583
R6011630XXYA Powerex Inc. 単相ダイオード整流器
R6011825XXYA Powerex, Inc. ダイオード - 整流器 - シングル 2731

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R6011KNJTL ブランドメーカー: LAPIS Semiconductor, Bonchip ストック, R6011KNJTL 参考価格. R6011KNJTL パラメーター, R6011KNJTL データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 R6011KNJTL プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 R6011KNJTL ピン図と回路図と機能の使用方法、 R6011KNJTL エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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