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R6015ENZC8
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R6015ENZC8 技術仕様
MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 6.5A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 910pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-3PF |
Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
R6015ENZC8 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください R6015ENZC8
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データシート
R6015ENZC8.pdf
その他には以下が含まれます: "R6015" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'R6015'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
R6015ANJTL | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2715 |
R6015ANX | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2761 |
R6015ANZ | ROHM | 特殊なホットIC | 1371 |
R6015ANZC8 | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2562 |
R6015ENJTL | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2757 |
R6015ENX | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 34301 |
R6015ENZ | LAPIS Semiconductor | 特殊なホットIC | 3970 |
R6015FNJTL | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2692 |
R6015FNX | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 10742 |
R6015KNJTL | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2505 |
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