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R6020ANZC8
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R6020ANZC8 技術仕様
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.15V @ 1mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2040pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-3PF |
Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
R6020ANZC8 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください R6020ANZC8
-
データシート
R6020ANZC8.pdf
その他には以下が含まれます: "R6020" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'R6020'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
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R60200-1CR | Eaton - Bussmann Electrical Division | ヒューズホルダー | |
R60200-1CRQ | Bussmann (Eaton) | ヒューズホルダー | 2733 |
R60200-1CRQ | Eaton - Bussmann Electrical Division | ヒューズホルダー | |
R60200-1STR | Bussmann (Eaton) | ヒューズホルダー | 2682 |
R60200-1STR | Eaton - Bussmann Electrical Division | ヒューズホルダー | |
R60200-1STRM | Bussmann (Eaton) | ヒューズホルダー | 2615 |
R60200-1STRM | Eaton - Bussmann Electrical Division | ヒューズホルダー | |
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