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RCD080N25TL
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RCD080N25TL 技術仕様
MOSFET N-CH 250V 8A SOT-428
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 4A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1440pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | CPT3 |
Power Dissipation (Max) | 850mW (Ta), 20W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
RCD080N25TL 書類
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データシート
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