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RF4E070GNTR 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21.4 mOhm @ 7A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Ta)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 6-HUML2020L8 (2x2)
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Package / Case 8-PowerUDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.8nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
RF4E070BN LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 19501
RF4E070BN TR ROHM 特殊なホットIC 2644
RF4E070BNTR LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2517
RF4E075AT ROHM 特殊なホットIC 2636
RF4E075AT TCR ROHM 特殊なホットIC 351
RF4E075ATTCR LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 120284
RF4E080BN ROHM 特殊なホットIC 3520
RF4E080BN TB ROHM 特殊なホットIC 1041
RF4E080BNTB LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 1787
RF4E080BNTR LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 12470

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RF4E070GNTR ブランドメーカー: LAPIS Semiconductor, Bonchip ストック, RF4E070GNTR 参考価格. RF4E070GNTR パラメーター, RF4E070GNTR データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RF4E070GNTR プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RF4E070GNTR ピン図と回路図と機能の使用方法、 RF4E070GNTR エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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