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RFN1LAM7STR 技術仕様

DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 800mA
Supplier Device Package PMDTM
Reverse Recovery Time (trr) 80ns
Package / Case SOD-128
Operating Temperature - Junction 150°C (Max)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Diode Type Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr 1µA @ 700V
Capacitance @ Vr, F -
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 700V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names RFN1LAM7SCT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Diode Standard 700V 800mA Surface Mount PMDTM
Current - Average Rectified (Io) 800mA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
RFN1L6S ROHM 特殊なホットIC 12406
RFN1L6S TE25 ROHM 特殊なホットIC 12890
RFN1L6SDD LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 215000
RFN1L6SFJ LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 3232
RFN1L6STE25 LAPIS Semiconductor ダイオード - 整流器 - シングル 839
RFN1L7S LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 218132
RFN1L7S TE25 ROHM 特殊なホットIC 12823
RFN1L7SDD LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 215000
RFN1L7SFJ TE25 ROHM 特殊なホットIC 2988
RFN1L7STE25 LAPIS Semiconductor ダイオード - 整流器 - シングル 2583

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