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RGTH60TS65GC11
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RGTH60TS65GC11 技術仕様
IGBT 650V 58A 197W TO-247N
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - IGBT - シングル |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Test Condition | 400V, 30A, 10 Ohm, 15V |
Switching Energy | - |
Power - Max | 197W |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
Td (on/off) @ 25°C | 27ns/105ns |
Supplier Device Package | TO-247N |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 58nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 58A |
RGTH60TS65GC11 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください RGTH60TS65GC11
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データシート
RGTH60TS65GC11.pdf
その他には以下が含まれます: "RGTH6" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'RGTH6'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
RGTH60TK65DGC11 | ROHM Semiconductor | 単一IGBT | |
RGTH60TK65GC11 | ROHM Semiconductor | 単一IGBT | |
RGTH60TS65D | LAPIS Semiconductor | 特殊なホットIC | 670 |
RGTH60TS65D IC | LAPIS Semiconductor | 特殊なホットIC | 478 |
RGTH60TS65DG | LAPIS Semiconductor | 特殊なホットIC | 860 |
RGTH60TS65DGC11 | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 746 |
RGTH60TS65DGC11 | ROHM Semiconductor | 単一IGBT | |
RGTH60TS65GC11 | ROHM Semiconductor | 単一IGBT |
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