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RP1E090RPTR 技術仕様

MOSFET P-CH 30V 9A MPT6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package MPT6
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.9 mOhm @ 9A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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RP1E050RP ROHM 特殊なホットIC 9415
RP1E050RP TR ROHM 特殊なホットIC 9707
RP1E050RP TR MOS LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 3409
RP1E050RPTR LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2502
RP1E070XNFPFTCR ROHM 特殊なホットIC 7584
RP1E070XNTCR LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2605
RP1E075RPTR LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2540
RP1E090RP ROHM 特殊なホットIC 4678
RP1E090RPFX3TR ROHM 特殊なホットIC 3000
RP1E090XNFPFTCR ROHM 特殊なホットIC 20377

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RP1E090RPTR ブランドメーカー: LAPIS Semiconductor, Bonchip ストック, RP1E090RPTR 参考価格. RP1E090RPTR パラメーター, RP1E090RPTR データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RP1E090RPTR プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RP1E090RPTR ピン図と回路図と機能の使用方法、 RP1E090RPTR エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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