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RP1E100XNTR
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RP1E100XNTR 技術仕様
MOSFET N-CH 30V 10A MPT6
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Supplier Device Package | MPT6 |
Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 10V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
RP1E100XNTR 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください RP1E100XNTR
-
データシート
RP1E100XNTR.pdf
その他には以下が含まれます: "RP1E1" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'RP1E1'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
RP1E100RN | LAPIS Semiconductor | 特殊なホットIC | 1451 |
RP1E100RNFPFT | LAPIS Semiconductor | 特殊なホットIC | 1000 |
RP1E100RNFPFTR | ROHM | 特殊なホットIC | 1798 |
RP1E100RP | LAPIS Semiconductor | 特殊なホットIC | 1139 |
RP1E100RP TR | LAPIS Semiconductor | 特殊なホットIC | 1299 |
RP1E100RPTR | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 1310 |
RP1E100XN | LAPIS Semiconductor | 特殊なホットIC | 40 |
RP1E125XNTR | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2709 |
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輸送方法 | ||
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