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RP1H065SPTR
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RP1H065SPTR 技術仕様
MOSFET P-CH 45V 6.5A MPT6
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Supplier Device Package | MPT6 |
Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Ta) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 6.5A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3200pF @ 10V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 45V |
RP1H065SPTR 書類
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データシート
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
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