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RQ3E080GNTB
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RQ3E080GNTB 技術仕様
MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.7 mOhm @ 8A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 295pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | 8-HSMT (3.2x3) |
Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 15W (Tc) |
Package / Case | 8-PowerVDFN |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
RQ3E080GNTB 書類
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データシート
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その他には以下が含まれます: "RQ3E0" 部品
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
RQ3E070BN | QQ2850920 | 特殊なホットIC | 2825 |
RQ3E070BNF07TB IC | LAPIS Semiconductor | 特殊なホットIC | 299 |
RQ3E070BNFU7 | LAPIS Semiconductor | 特殊なホットIC | 5999 |
RQ3E070BNFU7 MOS | LAPIS Semiconductor | 特殊なホットIC | 50449 |
RQ3E070BNFU7TB | ROHM | 特殊なホットIC | 14780 |
RQ3E070BNFU7TB MOS | LAPIS Semiconductor | 特殊なホットIC | 6553 |
RQ3E070BNTB | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2707 |
RQ3E075ATTB | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2531 |
RQ3E080BN | QQ2850920316 | 特殊なホットIC | 15045 |
RQ3E080BNFU7 | LAPIS Semiconductor | 特殊なホットIC | 5999 |
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RQ3E080GNTB ブランドメーカー: LAPIS Semiconductor, Bonchip ストック, RQ3E080GNTB 参考価格. RQ3E080GNTB パラメーター, RQ3E080GNTB データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RQ3E080GNTB プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RQ3E080GNTB ピン図と回路図と機能の使用方法、 RQ3E080GNTB エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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