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RQ3E150GNTB 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.1 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Ta)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-HSMT (3.2x3)
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 17.2W (Tc)
Package / Case 8-PowerVDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.3nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
RQ3E100ATTB LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 3223
RQ3E100BN QQ2850920316 特殊なホットIC 165095
RQ3E100BNFU7 LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 5999
RQ3E100BNFU7TB ROHM 特殊なホットIC 10198
RQ3E100BNTB LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 9377
RQ3E100BNTB1 LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 5999
RQ3E100BSFU7TB ROHM 特殊なホットIC 60398
RQ3E100GN QQ2850920316 特殊なホットIC 165085
RQ3E100GNFU7TB ROHM 特殊なホットIC 9000
RQ3E100GNTB LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 23614

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RQ3E150GNTB ブランドメーカー: LAPIS Semiconductor, Bonchip ストック, RQ3E150GNTB 参考価格. RQ3E150GNTB パラメーター, RQ3E150GNTB データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RQ3E150GNTB プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RQ3E150GNTB ピン図と回路図と機能の使用方法、 RQ3E150GNTB エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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