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RS1E130GNTB 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.7 mOhm @ 13A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-HSOP
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 22.2W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.9nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
RS1E130GN ROHM 特殊なホットIC 50369
RS1E130GNFU7TB LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 7482
RS1E150AU LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 573
RS1E150GN LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 50421
RS1E150GNTB LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1989
RS1E170AH LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 192
RS1E170GN QQ2850920316 特殊なホットIC 702
RS1E170GNFU7TB ROHM 特殊なホットIC 2747
RS1E170GNTB LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 10125
RS1E180AH LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 147

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RS1E130GNTB ブランドメーカー: LAPIS Semiconductor, Bonchip ストック, RS1E130GNTB 参考価格. RS1E130GNTB パラメーター, RS1E130GNTB データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RS1E130GNTB プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RS1E130GNTB ピン図と回路図と機能の使用方法、 RS1E130GNTB エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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