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RS1E200BNTB
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RS1E200BNTB 技術仕様
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 20A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | 8-HSOP |
Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 25W (Tc) |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
RS1E200BNTB 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください RS1E200BNTB
-
データシート
RS1E200BNTB.pdf
その他には以下が含まれます: "RS1E2" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'RS1E2'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
RS1E200AH | LAPIS Semiconductor | 特殊なホットIC | 23492 |
RS1E200BN | ROHM | 特殊なホットIC | 882 |
RS1E200BN TB | LAPIS Semiconductor | 特殊なホットIC | 693 |
RS1E200BNFU7TB | ROHM | 特殊なホットIC | 123915 |
RS1E200BNFU7TB IC | LAPIS Semiconductor | 特殊なホットIC | 1821 |
RS1E200GN | LAPIS Semiconductor | 特殊なホットIC | 23667 |
RS1E200GNTB | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 9453 |
RS1E240BN | ROHM | 特殊なホットIC | 88771 |
RS1E240BNFU7TB | LAPIS Semiconductor | 特殊なホットIC | 12500 |
RS1E240BNTB | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 377 |
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RS1E200BNTB ブランドメーカー: LAPIS Semiconductor, Bonchip ストック, RS1E200BNTB 参考価格. RS1E200BNTB パラメーター, RS1E200BNTB データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RS1E200BNTB プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RS1E200BNTB ピン図と回路図と機能の使用方法、 RS1E200BNTB エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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