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RSS105N03TB 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-SOIC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package 8-SOP
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.5A (Ta)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.7 mOhm @ 10.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1130pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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RSS100N03 ROHM 特殊なホットIC 704
RSS100N03 TB ROHM 特殊なホットIC 2682
RSS100N03-TB R 特殊なホットIC 16144
RSS100N03-TB. ROHM 特殊なホットIC 4582
RSS100N03FD5TB ROHM 特殊なホットIC 3764
RSS100N03FRATB LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2737
RSS100N03FRATB ROHM Semiconductor 単一MOSFETトランジスタ
RSS100N03FU6TB LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1814
RSS100N03FU6TB SOP8 LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 1986
RSS100N03FW3TB1 LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 2196

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