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RW1C020UNT2R 技術仕様

MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Supplier Device Package 6-WEMT
Power Dissipation (Max) 400mW (Ta)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105 mOhm @ 2A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
RW1C015UN VB 特殊なホットIC 168974
RW1C015UN MOS VBSEMI 特殊なホットIC 19332
RW1C015UN T2R ROHM 特殊なホットIC 53100
RW1C015UN T2R IC LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 446
RW1C015UNT2R LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 8459
RW1C015UNTR ROHM 特殊なホットIC 5500
RW1C020UN ROHM 特殊なホットIC 7846
RW1C020UN T2R ROHM 特殊なホットIC 11963
RW1C020UNFU7T2R ROHM 特殊なホットIC 6144
RW1C025ZP R 特殊なホットIC 945

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RW1C020UNT2R ブランドメーカー: LAPIS Semiconductor, Bonchip ストック, RW1C020UNT2R 参考価格. RW1C020UNT2R パラメーター, RW1C020UNT2R データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RW1C020UNT2R プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RW1C020UNT2R ピン図と回路図と機能の使用方法、 RW1C020UNT2R エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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