RW1E015RPT2R 技術仕様

MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 1.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A (Ta)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 6-WEMT
Power Dissipation (Max) 400mW (Ta)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
RW1E014SN ROHM 特殊なホットIC 16279
RW1E014SN T2R ROHM 特殊なホットIC 12796
RW1E014SNT2R LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 16000
RW1E015RP VB 特殊なホットIC 17585
RW1E015RP MOS VBSEMI 特殊なホットIC 17935
RW1E015RP T2R ROHM 特殊なホットIC 26749
RW1E025RP ROHM 特殊なホットIC 8273
RW1E025RP T2R ROHM 特殊なホットIC 12266
RW1E025RPT2CR LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 8461

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RW1E015RPT2R ブランドメーカー: LAPIS Semiconductor, Bonchip ストック, RW1E015RPT2R 参考価格. RW1E015RPT2R パラメーター, RW1E015RPT2R データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RW1E015RPT2R プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RW1E015RPT2R ピン図と回路図と機能の使用方法、 RW1E015RPT2R エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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