SCT2080KEC 技術仕様

MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 4.4mA
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 117 mOhm @ 10A, 18V
Packaging Tube
Operating Temperature 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2080pF @ 800V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +22V, -6V
Supplier Device Package TO-247
Power Dissipation (Max) 262W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 106nC @ 18V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
SCT2000CB-1 SIBERCORE 特殊なホットIC 655
SCT2001AS1G SCT 特殊なホットIC 1203
SCT2001ASIG SCT 特殊なホットIC 560
SCT2004SSOG STARCHIPS 特殊なホットIC 2771
SCT2007CSSG SCT 特殊なホットIC 5400
SCT2008CSSG SCT 特殊なホットIC 275
SCT2008SSSG STARCHIPS 特殊なホットIC 2291
SCT2016STSG Original 特殊なホットIC 2645
SCT2024AQNG SCT 特殊なホットIC 2519
SCT2024CSSG SCT 特殊なホットIC 1227

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