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VP2106N3-G 技術仕様

Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer Microchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Weight 453.59237mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Part Status Active
Number of Terminations 3
Additional Feature HIGH INPUT IMPEDANCE
Terminal Position BOTTOM
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 740mW
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 Ω @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 25V
Rise Time 5ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 5V 10V
Fall Time (Typ) 5 ns
Continuous Drain Current (ID) 250mA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.25A
Feedback Cap-Max (Crss) 8 pF
Length 5.21mm
Radiation Hardening No
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 1W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 4 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 250mA Tj
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage -60V
Height 5.33mm
Width 4.19mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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VP2106N3-G 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
VP21007VIF HITACHI 特殊なホットIC 54
VP2104N3 SUPERTEX 特殊なホットIC 490
VP21054- VLSI 特殊なホットIC 12
VP2106N3-G Micrel / Microchip Technology トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 4061

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VP2106N3-G ブランドメーカー: Microchip Technology, Bonchip ストック, VP2106N3-G 参考価格. VP2106N3-G パラメーター, VP2106N3-G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 VP2106N3-G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 VP2106N3-G ピン図と回路図と機能の使用方法、 VP2106N3-G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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