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MT28EW512ABA1HPN-0SIT 技術仕様
IC FLASH 512M PARALLEL 56VFBGA
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 集積回路 (IC) / メモリー |
Manufacturer | Micron Technology |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | 60ns |
Technology | FLASH - NOR |
Packaging | Tray |
Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 512Mb (64M x 8, 32M x 16) |
Memory Format | FLASH |
Detailed Description | FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8, 32M x 16) Parallel 95ns 56-VFBGA (7x9) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 2.7 V ~ 3.6 V |
Supplier Device Package | 56-VFBGA (7x9) |
Package / Case | 56-VFBGA |
Mounting Type | Surface Mount |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Interface | Parallel |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Access Time | 95ns |
MT28EW512ABA1HPN-0SIT 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください MT28EW512ABA1HPN-0SIT
-
データシート
MT28EW512ABA1HPN-0SIT.pdf
その他には以下が含まれます: "MT28E" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'MT28E'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
MT28EW01GABA1HJS-0AAT | Micron Technology | メモリー | 2500 |
MT28EW01GABA1HJS-0AAT TR | Micron Technology | メモリー | 2611 |
MT28EW01GABA1HJS-0SIT | Micron Technology | メモリー | 1301 |
MT28EW01GABA1HJS-0SIT TR | Micron Technology | メモリー | 2582 |
MT28EW01GABA1HPC-0AAT | Micron Technology | メモリー | 0 |
MT28EW01GABA1HPC-0AAT TR | Micron Technology | メモリー | 2566 |
MT28EW01GABA1HPC-0SIT | Micron Technology | メモリー | 1424 |
MT28EW01GABA1HPC-0SIT TR | Micron Technology | メモリー | 2677 |
MT28EW01GABA1HPC-1SIT | Micron Technology | メモリー | 2567 |
MT28EW01GABA1HPC-1SIT TR | Micron Technology | メモリー | 2690 |
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MT28EW512ABA1HPN-0SIT ブランドメーカー: Micron Technology, Bonchip ストック, MT28EW512ABA1HPN-0SIT 参考価格. MT28EW512ABA1HPN-0SIT パラメーター, MT28EW512ABA1HPN-0SIT データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 MT28EW512ABA1HPN-0SIT プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 MT28EW512ABA1HPN-0SIT ピン図と回路図と機能の使用方法、 MT28EW512ABA1HPN-0SIT エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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輸送方法 | ||
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