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MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR 技術仕様
IC FLASH 384GBIT 333MHZ 132VBGA
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 集積回路 (IC) / メモリー |
Manufacturer | Micron Technology |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Supply | 2.5 V ~ 3.6 V |
Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TA) |
Memory Size | 384Gb (48G x 8) |
Interface | Parallel |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Speed | 333MHz |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Format | FLASH |
MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR
-
データシート
その他には以下が含まれます: "MT29E" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'MT29E'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
MT29E128G08CECABH1-10:A | Micron Technology | 特殊なホットIC | 1000 |
MT29E128G08CECABJ1-10Z:A | Micron Technology | メモリー | 2595 |
MT29E128G08CECABJ1-10Z:A TR | Micron Technology | メモリー | 2619 |
MT29E128G08CECDBJ4-6:D | Micron Technology | メモリー | 2710 |
MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR | Micron Technology | メモリー | 2792 |
MT29E128G08CMCBBH2-12:B | Micron Technology | 特殊なホットIC | 1000 |
MT29E1HT08ELHBBG1-3:B | Micron Technology | メモリー | 2702 |
MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR | Micron Technology | メモリー | 2735 |
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B | Micron Technology | メモリー | 18 |
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR | Micron Technology | メモリー | 2738 |
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