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MT9VDDT6472HY-335J1
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MT9VDDT6472HY-335J1 技術仕様
MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | メモリーカードとモジュール / メモリモジュール |
Manufacturer | Micron Technology |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Speed | 333MT/s |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 512MB |
Detailed Description | Memory Module DDR SDRAM 512MB 333MT/s 200-SODIMM |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | 200-SODIMM |
Memory Type | DDR SDRAM |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
MT9VDDT6472HY-335J1 書類
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データシート
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
MT9VDDF3272G-265G3 | Micron Technology | メモリモジュール | 2723 |
MT9VDDF3272G-265G3 | Micron Technology Inc. | メモリモジュール | |
MT9VDDF3272G-26AC1 | Micron Technology | メモリモジュール | 0 |
MT9VDDF3272G-26AC1 | Micron Technology Inc. | メモリモジュール | |
MT9VDDF3272G-335G3 | Micron Technology | メモリモジュール | 0 |
MT9VDDF3272G-335G3 | Micron Technology Inc. | メモリモジュール | |
MT9VDDF3272G-40BG3 | Micron Technology | メモリモジュール | 0 |
MT9VDDF3272G-40BG3 | Micron Technology Inc. | メモリモジュール | |
MT9VDDF3272Y-335G3 | Micron Technology | メモリモジュール | 2516 |
MT9VDDF3272Y-335G3 | Micron Technology Inc. | メモリモジュール |
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