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1N5618US
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1N5618US 技術仕様
DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 3A |
Supplier Device Package | D-5A |
Reverse Recovery Time (trr) | 2µs |
Package / Case | SQ-MELF, A |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 500nA @ 600V |
Capacitance @ Vr, F | - |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 200°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 1A |
1N5618US 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください 1N5618US
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データシート
1N5618US.pdf
その他には以下が含まれます: "1N561" 部品
次の部分には次のものが含まれます '1N561'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
1N5610 | Microsemi | TVSダイオード | 2515 |
1N5611 | Microsemi | TVSダイオード | 0 |
1N5613 | Microsemi | TVSダイオード | 0 |
1N5614 | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 2645 |
1N5614GP-E3/54 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | ダイオード - 整流器 - シングル | 2791 |
1N5614GP-E3/73 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | ダイオード - 整流器 - シングル | 2710 |
1N5614GP-E3/73 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - 整流器 - シングル | 2559 |
1N5614GPHE3/54 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | ダイオード - 整流器 - シングル | 2794 |
1N5614GPHE3/54 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - 整流器 - シングル | 2551 |
1N5614US | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 2770 |
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1N5618US ブランドメーカー: Microsemi, Bonchip ストック, 1N5618US 参考価格. 1N5618US パラメーター, 1N5618US データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 1N5618US プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 1N5618US ピン図と回路図と機能の使用方法、 1N5618US エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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