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1N5622US 技術仕様

DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 3A
Supplier Device Package D-5A
Reverse Recovery Time (trr) 2µs
Package / Case SQ-MELF, A
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 500nA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F -
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1000V (1kV)
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 200°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 1A
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
1N5620 Microsemi ダイオード - 整流器 - シングル 2682
1N5620C.TR Semtech ダイオード - 整流器 - シングル 500
1N5620GPHE3/54 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 2723
1N5620GPHE3/54 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 2704
1N5620GPHE3/73 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 2622
1N5620US Microsemi ダイオード - 整流器 - シングル 2500
1N5620US Microsemi Corporation 単相ダイオード整流器
1N5621 Microsemi ダイオード - 整流器 - シングル 2606
1N5621GP-E3/54 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 2798
1N5621GP-E3/54 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 2660

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1N5622US ブランドメーカー: Microsemi, Bonchip ストック, 1N5622US 参考価格. 1N5622US パラメーター, 1N5622US データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 1N5622US プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 1N5622US ピン図と回路図と機能の使用方法、 1N5622US エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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