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1N5806US 技術仕様

DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 875mV @ 1A
Supplier Device Package D-5A
Reverse Recovery Time (trr) 25ns
Package / Case SQ-MELF, A
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 1µA @ 150V
Capacitance @ Vr, F 25pF @ 10V, 1MHz
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 150V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 1A
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