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1N5811US
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1N5811US 技術仕様
DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
Package / Case | SQ-MELF, B |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 3A |
1N5811US 書類
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データシート
1N5811US.pdf
その他には以下が含まれます: "1N581" 部品
次の部分には次のものが含まれます '1N581'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
1N5811 | Semtech | ダイオード - 整流器 - シングル | 5371 |
1N5811C.TR | Semtech | ダイオード - 整流器 - シングル | 2696 |
1N5811TR | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 2735 |
1N5811US | Semtech | ダイオード - 整流器 - シングル | 0 |
1N5811US | Microsemi Corporation | 単相ダイオード整流器 | |
1N5812 | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 2779 |
1N5812R | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 2551 |
1N5813 | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 2617 |
1N5813R | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 0 |
1N5814 | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 2633 |
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1N5811US ブランドメーカー: Microsemi, Bonchip ストック, 1N5811US 参考価格. 1N5811US パラメーター, 1N5811US データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 1N5811US プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 1N5811US ピン図と回路図と機能の使用方法、 1N5811US エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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