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1N5820US
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1N5820US 技術仕様
DIODE SCHOTTKY 20V 3A B-MELF
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 3A |
Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 125°C |
Diode Type | Schottky |
Current - Average Rectified (Io) | 3A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Package / Case | SQ-MELF, B |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 100µA @ 20V |
Capacitance @ Vr, F | - |
1N5820US 書類
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データシート
1N5820US.pdf
その他には以下が含まれます: "1N582" 部品
次の部分には次のものが含まれます '1N582'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
1N5820 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ダイオード - 整流器 - シングル | 12215 |
1N5820 | STMicroelectronics | ダイオード - 整流器 - シングル | 12215 |
1N5820 | Fairchild/ON Semiconductor | ダイオード - 整流器 - シングル | 12215 |
1N5820 | ON Semiconductor | 単相ダイオード整流器 | |
1N5820 A0G | TSC (Taiwan Semiconductor) | ダイオード - 整流器 - シングル | 2760 |
1N5820 B0G | TSC (Taiwan Semiconductor) | ダイオード - 整流器 - シングル | 2560 |
1N5820 MCU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | 特殊なホットIC | 431 |
1N5820 R0G | TSC (Taiwan Semiconductor) | ダイオード - 整流器 - シングル | 2783 |
1N5820 SS32 | TOS | 特殊なホットIC | 4404 |
1N5820-A | Diodes Incorporated | ダイオード - 整流器 - シングル | 2647 |
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1N5820US ブランドメーカー: Microsemi, Bonchip ストック, 1N5820US 参考価格. 1N5820US パラメーター, 1N5820US データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 1N5820US プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 1N5820US ピン図と回路図と機能の使用方法、 1N5820US エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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輸送方法 | ||
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