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1N6074 技術仕様

DIODE GEN PURP 100V 850MA AXIAL

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2.04V @ 9.4A
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 155°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 850mA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Reverse Recovery Time (trr) 30ns
Package / Case A, Axial
Mounting Type Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr 1µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F -
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1N6070 Microsemi TVSダイオード 2545
1N6070A Microsemi TVSダイオード 2589
1N6071 Microsemi TVSダイオード 2773
1N6071A Microsemi TVSダイオード 2600
1N6072 Microsemi TVSダイオード 2667
1N6072A Microsemi TVSダイオード 2666
1N6072A Microsemi Corporation TVSダイオード
1N6073 Microsemi ダイオード - 整流器 - シングル 2761
1N6073 Microsemi Corporation 単相ダイオード整流器
1N6073US Microsemi ダイオード - 整流器 - シングル 2625

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