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1N6080US 技術仕様

DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 37.7A
Supplier Device Package G-MELF (D-5C)
Reverse Recovery Time (trr) 30ns
Package / Case SQ-MELF, G
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F -
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 155°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 2A
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1N6080 Semtech ダイオード - 整流器 - シングル 2582
1N6080 Microsemi ダイオード - 整流器 - シングル 2616
1N6081 Semtech ダイオード - 整流器 - シングル 0
1N6081 Microsemi ダイオード - 整流器 - シングル 2636
1N6081US Microsemi ダイオード - 整流器 - シングル 2781

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1N6080US ブランドメーカー: Microsemi, Bonchip ストック, 1N6080US 参考価格. 1N6080US パラメーター, 1N6080US データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 1N6080US プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 1N6080US ピン図と回路図と機能の使用方法、 1N6080US エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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